檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="積體化"
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓,經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN,使…
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本研究利用標準Bulk CMOS製程中高解析度離子佈植與多層金屬連接層的特性,實現積體化背部電極太陽能電池,選擇0.18、0.35μm CMOS製程中的N-well/P-substrate接面區域設…
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本論文主要之研究為利用量子井混合效應來設計製作雷射與電 吸收調變器共平面結構之積體化元件,使其能運用在高速的光通訊系 統中。主動層材料為磷砷化銦鎵(InGaAsP)的材料。發光波段主要 設計在155…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓,利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN,使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構,在同一…